12800_1_Titel
Boitier de semi-conducteur TO-218 ; TOP-3
Assemblage du semi-conducteur Vis
materiel Silicium avec Glasfibre
largeur [mm] 19,0
longueuer [mm] 24,0
Resistance thermique minimale [K/W]: 1,0
epaisseur [mm]: 0,23
Valeur d'isolation 5,0
Permittivite relative 2,0
SI 491/N
1663_1_Titel
Boitier de semi-conducteur TO-220
Assemblage du semi-conducteur Vis
materiel Alumine
epaisseur [mm]: 1,5
Valeur d'isolation 15,0
Permittivite relative 9,0
AO 479
2419_1_Titel
Assemblage du semi-conducteur Assemblage du clip ; Baton
materiel Silicium avec Glasfibre
epaisseur [mm]: 0,23
Permittivite relative 2,0
SI 4023-S
2962_1_Titel
Boitier de semi-conducteur TO-220
Assemblage du semi-conducteur Assemblage du clip ; Baton
materiel Silicium avec Glasfibre
epaisseur [mm]: 0,18
Valeur d'isolation 2,0
Permittivite relative 2,0
SI 6018-S
5452_1_Titel
Boitier de semi-conducteur TO-220
Assemblage du semi-conducteur Assemblage du clip ; Baton
materiel Silicium avec Glasfibre
epaisseur [mm]: 0,23
Valeur d'isolation 5,0
Permittivite relative 2,0
SI 6023-S
5621_1_Titel
Boitier de semi-conducteur TO-218 ; TOP-3
Assemblage du semi-conducteur Vis
materiel Alumine
epaisseur [mm]: 1,5
Valeur d'isolation 10,0
Permittivite relative 9,0
AO 471
5625_1_Titel
Boitier de semi-conducteur TO-220
Assemblage du semi-conducteur Vis
materiel Alumine
epaisseur [mm]: 1,5
Valeur d'isolation 15,0
Permittivite relative 9,0
AO 474
5626_1_Titel
Boitier de semi-conducteur Dioden
Assemblage du semi-conducteur Vis
materiel Alumine
epaisseur [mm]: 1,6
Valeur d'isolation 15,0
Permittivite relative 9,0
AO 478
5794_1_Titel
Boitier de semi-conducteur TO-3
Assemblage du semi-conducteur Vis
materiel Mica
Valeur d'isolation 2,0
Resistance aux temperatures 550,0
GL 510
5799_1_Titel
Boitier de semi-conducteur TO-220
Assemblage du semi-conducteur Vis
Resistance thermique minimale [K/W]: 1,0
epaisseur [mm]: 0,05
Valeur d'isolation 2,0
Resistance aux temperatures 550,0
GL 530