12800_1_Titel
Boitier de semi-conducteur TO-218 ; TOP-3
Assemblage du semi-conducteur Vis
Materiel Silicium avec Glasfibre
Largeur [mm] 19,0
Longueuer [mm] 24,0
Resistance thermique minimale [K/W]: 1,0
epaisseur [mm]: 0,23
Valeur d'isolation 5,0
Permittivite relative 2,0
SI 491/N
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2962_1_Titel
Boitier de semi-conducteur TO-220
Assemblage du semi-conducteur Assemblage du clip ; Baton
Materiel Silicium avec Glasfibre
epaisseur [mm]: 0,18
Valeur d'isolation 2,0
Permittivite relative 2,0
SI 6018-S
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5452_1_Titel
Boitier de semi-conducteur TO-220
Assemblage du semi-conducteur Assemblage du clip ; Baton
Materiel Silicium avec Glasfibre
epaisseur [mm]: 0,23
Valeur d'isolation 5,0
Permittivite relative 2,0
SI 6023-S
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5850_1_Titel
Materiel Silicium avec Glasfibre
epaisseur [mm]: 0,18
Permittivite relative 2,0
SI 4018
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5851_1_Titel
Materiel Silicium avec Glasfibre
epaisseur [mm]: 0,23
Permittivite relative 2,0
SI 4023
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5856_1_Titel
Boitier de semi-conducteur TO-3
Assemblage du semi-conducteur Vis
Materiel Silicium avec Glasfibre
epaisseur [mm]: 0,18
Valeur d'isolation 2,0
Permittivite relative 2,0
SI 480
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5857_1_Titel
Boitier de semi-conducteur TO-3
Assemblage du semi-conducteur Vis
Materiel Silicium avec Glasfibre
epaisseur [mm]: 0,23
Valeur d'isolation 2,0
SI 481
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5860_1_Titel
Boitier de semi-conducteur SOT-32
Assemblage du semi-conducteur Vis
Materiel Silicium avec Glasfibre
Resistance thermique minimale [K/W]: 3,0
epaisseur [mm]: 0,18
Valeur d'isolation 2,0
Permittivite relative 2,0
SI 485
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5862_1_Titel
Boitier de semi-conducteur TO-220
Assemblage du semi-conducteur Assemblage du clip ; Baton
Materiel Silicium avec Glasfibre
Resistance thermique minimale [K/W]: 1,0
epaisseur [mm]: 0,18
Valeur d'isolation 2,0
Permittivite relative 2,0
SI 487-S
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5863_1_Titel
Boitier de semi-conducteur TO-220
Assemblage du semi-conducteur Vis
Materiel Silicium avec Glasfibre
Resistance thermique minimale [K/W]: 1,0
epaisseur [mm]: 0,18
Valeur d'isolation 2,0
Permittivite relative 2,0
SI 488
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