![5864_1_Titel](/media/uploads/img/_Titel/15864_Titel.gif)
Boitier de semi-conducteur | TO-220 | |
Assemblage du semi-conducteur | Vis | |
Materiel | Silicium avec Glasfibre | |
Resistance thermique minimale [K/W]: | 1,0 | |
epaisseur [mm]: | 0,23 | |
Valeur d'isolation | 5,0 | |
Permittivite relative | 2,0 |
![5865_1_Titel](/media/uploads/img/_Titel/15865_Titel.gif)
Boitier de semi-conducteur | TO-218 ; TOP-3 | |
Assemblage du semi-conducteur | Vis | |
Materiel | Silicium avec Glasfibre | |
Resistance thermique minimale [K/W]: | 1,0 | |
epaisseur [mm]: | 0,18 | |
Valeur d'isolation | 2,0 | |
Permittivite relative | 2,0 |
![5868_1_Titel](/media/uploads/img/_Titel/15868_Titel.gif)
Boitier de semi-conducteur | Multiwatt | |
Assemblage du semi-conducteur | Vis | |
Materiel | Silicium avec Glasfibre | |
Resistance thermique minimale [K/W]: | 1,0 | |
epaisseur [mm]: | 0,18 | |
Valeur d'isolation | 5,0 | |
Permittivite relative | 2,0 | |
Resistance aux temperatures | 200,0 |
![5873_1_Titel](/media/uploads/img/_Titel/15873_Titel.gif)
Boitier de semi-conducteur | TO-220 | |
Assemblage du semi-conducteur | Assemblage du clip ; Baton | |
Materiel | Silicium avec Glasfibre | |
Resistance thermique minimale [K/W]: | 2,0 | |
epaisseur [mm]: | 0,23 | |
Valeur d'isolation | 5,0 | |
Permittivite relative | 2,0 |
![5875_1_Titel](/media/uploads/img/_Titel/15875_Titel.gif)
Boitier de semi-conducteur | Quarze | |
Assemblage du semi-conducteur | Coince | |
Materiel | Silicium avec Glasfibre | |
epaisseur [mm]: | 0,23 | |
Valeur d'isolation | 5,0 | |
Permittivite relative | 2,0 |
![7755_1_Titel](/media/uploads/img/_Titel/17755_Titel.gif)
Boitier de semi-conducteur | Quarze | |
Assemblage du semi-conducteur | Coince | |
Materiel | Silicium avec Glasfibre | |
epaisseur [mm]: | 0,18 | |
Valeur d'isolation | 2,0 | |
Permittivite relative | 2,0 |
![12960_1_Titel](/media/uploads/img/_Titel/112960_Titel.gif)
Assemblage du semi-conducteur | Assemblage du clip ; Baton | |
Materiel | Silicium avec Glasfibre | |
epaisseur [mm]: | 0,18 | |
Permittivite relative | 2,0 |
![31025_1_Titel](/media/uploads/img/_Titel/131025_Titel.gif)
Boitier de semi-conducteur | SOT-32 ; TO-126 | |
Assemblage du semi-conducteur | Vis | |
Materiel | Silicium avec Glasfibre | |
Resistance thermique minimale [K/W]: | 1,0 | |
epaisseur [mm]: | 0,18 | |
Valeur d'isolation | 2,0 | |
Permittivite relative | 2,0 |
![31026_1_Titel](/media/uploads/img/_Titel/131026_Titel.gif)
Boitier de semi-conducteur | SOT-32 ; TO-126 | |
Assemblage du semi-conducteur | Vis | |
Materiel | Silicium avec Glasfibre | |
Resistance thermique minimale [K/W]: | 1,0 | |
epaisseur [mm]: | 0,18 | |
Valeur d'isolation | 2,0 | |
Permittivite relative | 2,0 |
![31027_1_Titel](/media/uploads/img/_Titel/131027_Titel.gif)
Boitier de semi-conducteur | TO-247 | |
Assemblage du semi-conducteur | Vis | |
Materiel | Silicium avec Glasfibre | |
Resistance thermique minimale [K/W]: | 1,0 | |
epaisseur [mm]: | 0,18 | |
Valeur d'isolation | 2,0 | |
Permittivite relative | 2,0 |